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供應薄膜鉑熱電阻,WZP-4312U 
產品名稱: 供應薄膜鉑熱電阻,WZP-4312U
產品型號: WZP-4312U
產品報價:
 
   
 產品詳細:

供應薄膜鉑熱電阻,WZP-4312U

 

WZP-4312U薄膜鉑熱電阻是一款基于先進薄膜工藝技術開發的溫度傳感元件,專為工業領域對溫度測量的高精度、高穩定性需求而設計。其核心采用高純度鉑金屬薄膜作為感溫材料,結合特殊封裝工藝,能夠在復雜工況下實現可靠、精準的溫度監測,適用于能源、化工、制藥、暖通等多種行業的設備與系統。

該產品通過優化的結構設計,提升了溫度響應的靈敏度和重復性,能夠在-50℃至500℃的寬溫度范圍內保持線性輸出特性,滿足不同場景下的測量需求。感溫元件封裝于抗腐蝕、耐氧化的保護套管中,表面經過特殊處理,可有效抵御潮濕、粉塵及部分化學介質的侵蝕,延長了設備在惡劣環境中的使用壽命。同時,其緊湊型設計支持多種安裝方式,包括螺紋固定、法蘭連接等,便于集成到各類工業設備或管道系統中。

在性能方面,WZP-4312U通過精密的生產工藝控制,確保了溫度測量值的低偏差和長期穩定性,減少了因元件老化導致的測量誤差。其低熱容特性顯著縮短了溫度變化的響應時間,特別適用于需要快速反饋控溫的自動化系統。產品還提供多種引線配置選項,支持兩線制、三線制或四線制接線方式,適配不同儀表接口需求。

為滿足客戶多樣化需求,該產品可提供定制化服務,包括感溫元件尺寸調整、引線長度修改以及特殊防護涂層的選配,以適應特定工況條件。生產過程中嚴格的質量管理體系保障了產品的一致性和可靠性,幫助用戶降低設備運維成本,提升系統運行效率。

簡單介紹
WZP-4312U|薄膜鉑熱電阻1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優良的穩定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。 2. 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。


 

WZP-4312U|薄膜鉑熱電阻

的詳細介紹
WZP-4312U|薄膜鉑熱電阻
熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化。可用于測量 -200℃~﹢800℃范圍內的溫度。其優點是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
  WZP4312U薄膜鉑熱電阻,WZP-4312U,的詳細資料:

1.              測溫范圍、允差

名稱

型號

分度號

測溫范圍

等級

允許偏差

鉑電阻

WZP

Pt100

Pt10

-200~±650

A

±(0.15+0.02t)

B

±0.30+0.005t

銅電阻

WZC

Cu50

Cu100

-50~+150

 

±(0.30+0.006t)

2.熱響應時間

   在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%,所需要的時間稱為熱響應時間,用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通過電流1mA,最大測量電流為5mA,由此產生的升溫不大于0.3℃。

 

4.電阻溫度系數(α)與標稱值的偏差

名稱

等級

α

α

鉑電阻

A

0003851

±0.000006

B

±0.000012

銅電阻

 

0004280

±0.000020

5.絕緣電阻

     當周圍空氣溫度15-35和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ

 

薄膜鉑電阻元件

一、         概述

      CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用先進的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經過激光調阻制成,完全自動的生產程序保證了產品完全符合IEC標準。

二、         技術特點

1.              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優良的穩定性,適合在-50400℃的溫度下使用。

2.              鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。

3.              薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。

4.              引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

5.              規格:

型號

規格

長×寬×高

阻值

測量電流

精度

測量范圍

熱響應時間

CRZ-1632

3.2×1.6×1.0

PT100

PT100

1mA

A

-50550

0.3S

CRZ-2005

5.0×2.0×1.1

PT50

2mA

A

-50400

CRZ-2005

5.0×2.0×1.0

PT10

0.5mA

B

-50500

6.              精度:

等級

α

0時的電阻值(Ω)

允許偏差(Ω)

A

 0.003851

100.00

±0.150+0.002t

B

0.003851

100.00

±0.30+0.005t

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